Cip Fotodiod Avalanche 50um InGaAs
  • Air ProCip Fotodiod Avalanche 50um InGaAs

Cip Fotodiod Avalanche 50um InGaAs

Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um ialah fotodiod dengan keuntungan dalaman yang dihasilkan oleh penggunaan voltan terbalik. Ia mempunyai nisbah isyarat-ke-bunyi (SNR) yang lebih tinggi daripada fotodiod, serta tindak balas masa yang cepat, arus gelap yang rendah dan kepekaan yang tinggi. Julat tindak balas spektrum biasanya dalam 900 - 1650nm.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

1. Ringkasan Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um ialah fotodiod dengan keuntungan dalaman yang dihasilkan oleh penggunaan voltan terbalik. Ia mempunyai nisbah isyarat-ke-bunyi (SNR) yang lebih tinggi daripada fotodiod, serta tindak balas masa yang cepat, arus gelap yang rendah dan kepekaan yang tinggi. Julat tindak balas spektrum biasanya dalam 900 - 1650nm.

2. Pengenalan Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um ialah fotodiod dengan keuntungan dalaman yang dihasilkan oleh penggunaan voltan terbalik. Ia mempunyai nisbah isyarat-ke-bunyi (SNR) yang lebih tinggi daripada fotodiod, serta tindak balas masa yang cepat, arus gelap yang rendah dan kepekaan yang tinggi. Julat tindak balas spektrum biasanya dalam 900 - 1650nm.

3. Ciri-ciri Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Mengesan julat 900nm-1650nm;

Kelajuan tinggi;

Tanggungjawab tinggi;

Kapasiti rendah;

Arus gelap rendah;

Struktur satah bercahaya atas.

4. Penggunaan Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Pemantauan;

Alat gentian optik;

Komunikasi Data.

5. Penarafan Maksimum Mutlak sebanyak 50um InGaAs Avalanche Photodiode Cip

Parameter Simbol Nilai Unit
Arus hadapan maksimum - 10 mA
Bekalan voltan maksimum - VBR V
Suhu Operasi Topr -40 hingga +85
Suhu penyimpanan Tstg -55 hingga +125

6. Ciri-ciri Elektro-Optik(T=25℃) daripada Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Parameter Simbol keadaan Min. Taip. Maks. Unit
Julat panjang gelombang λ   900 - 1650 nm
Voltan Pecahan VBR Id =10uA 40 - 52 V
Pekali suhu VBR - - - 0.12 - V/℃
Tanggungjawab R VR =VBR -3V 10 13 - A/W
Arus gelap ID VBR -3V - 0.4 10.0 nA
Kapasitansi C VR =38V, f=1MHz - 8 - pF
jalur lebar Bw - - 2.0 - GHz

7. Parameter Dimensi Cip Fotodiod Avalanche InGaAs 50um

Parameter Simbol Nilai Unit
Diameter kawasan aktif D 53 um
Diameter pad ikatan - 65 um
Saiz mati - 250x250 um
Ketebalan die t 150±20 um

8. Menghantar, Menghantar dan Menyaji Cip Photodiode Avalanche 50um InGaAs

Semua produk telah diuji sebelum dihantar keluar;

Semua produk mempunyai waranti 1-3 tahun. (Selepas tempoh jaminan kualiti mula mengenakan bayaran perkhidmatan penyelenggaraan yang sesuai.)

Kami menghargai perniagaan anda dan menawarkan polisi pemulangan 7 hari serta-merta. (7 hari selepas menerima item);

Jika barangan yang anda beli dari kedai kami tidak berkualiti, iaitu ia tidak berfungsi secara elektronik mengikut spesifikasi pengeluar, cuma pulangkan kepada kami untuk penggantian atau bayaran balik;

Jika barang rosak, sila maklumkan kepada kami dalam masa 3 hari selepas penghantaran;

Mana-mana item mesti dipulangkan dalam keadaan asalnya untuk layak mendapat bayaran balik atau penggantian;

Pembeli bertanggungjawab ke atas semua kos penghantaran yang ditanggung.

8. Soalan Lazim

S: Apakah kawasan aktif yang anda mahukan?

A: kami mempunyai 50um 200um 500um kawasan aktif InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

S: Apakah keperluan untuk penyambung?

A: Box Optronics boleh menyesuaikan mengikut keperluan anda.

Tag Hot: Cip Fotodiod InGaAs 300um, Pengeluar, Pembekal, Borong, Kilang, Disesuaikan, Pukal, China, Buatan China, Murah, Harga Rendah, Kualiti

Kategori Berkaitan

Hantar Pertanyaan

Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam bentuk di bawah. Kami akan menjawab anda dalam masa 24 jam.