Pengoptimuman reka bentuk struktur: Tiga prinsip asas laser semikonduktor ialah: suntikan dan kurung elektrik, penukaran elektrik-optik, kurungan optik dan output, yang sepadan dengan reka bentuk suntikan elektrik, reka bentuk telaga kuantum, dan reka bentuk medan optik struktur pandu gelombang, masing-masing. Mengoptimumkan struktur telaga kuantum, wayar kuantum, titik kuantum dan kristal fotonik telah menggalakkan peningkatan berterusan teknologi laser, menjadikan kuasa output dan kecekapan penukaran elektro-optik laser lebih tinggi dan lebih tinggi, kualiti pancaran menjadi lebih baik dan lebih baik, dan lebih tinggi. kebolehpercayaan. Teknologi pertumbuhan bahan epitaxial berkualiti tinggi: Teknologi pertumbuhan bahan epitaxial laser semikonduktor adalah teras pembangunan laser semikonduktor. Ia terutamanya mengoptimumkan keluk doping untuk mengurangkan pertindihan antara medan optik dan kawasan yang didop dengan banyak, dengan itu mengurangkan kehilangan penyerapan pembawa percuma dan meningkatkan kecekapan penukaran peranti. Teknologi rawatan permukaan rongga: Melalui pelbagai teknologi pempasifan dan salutan permukaan rongga, mengurangkan atau menghapuskan kecacatan dan pengoksidaan permukaan rongga, mengurangkan penyerapan cahaya permukaan rongga, meningkatkan nilai COMD permukaan rongga, dan mencapai output kuasa puncak yang tinggi. Teknologi pembungkusan bersepadu: Penyelidikan mengenai teknologi utama pembungkusan laser semikonduktor berkuasa tinggi adalah bermula dari aspek haba, bahan pembungkusan dan tekanan, untuk menyelesaikan reka bentuk pembungkusan pengurusan haba dan tekanan haba, dan untuk mencapai kejayaan teknologi dalam pembangunan laser semikonduktor terus kepada kuasa tinggi, kecerahan tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
